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STN1HNK60  与  BSP135 H6433  区别

型号 STN1HNK60 BSP135 H6433
唯样编号 A36-STN1HNK60-0 A-BSP135 H6433
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 600 V 10 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5Ω@500mA,10V -
漏源极电压Vds 600V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-223 PG-SOT223-4
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 0.4A -
系列 SuperMESH™ -
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 156pF @ 25V -
长度 - 6.5mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
高度 - 1.6mm
库存与单价
库存 4,168 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7841
4,000+ :  ¥0.7277
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN1HNK60 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A

¥0.7841 

阶梯数 价格
70: ¥0.7841
4,000: ¥0.7277
4,168 当前型号
BSP126,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP126_SOT223 N-Channel 0.375A

¥2.189 

阶梯数 价格
30: ¥2.189
50: ¥1.683
139 对比
BSP126,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP126_SOT223 N-Channel 0.375A

¥2.1348 

阶梯数 价格
240: ¥2.1348
500: ¥1.7498
1,000: ¥1.5216
0 对比
BSP135 H6433 Infineon 小信号MOSFET

BSP135H6433XTMA1_PG-SOT223-4 P-Channel 车规

暂无价格 0 对比
BSP122,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP122_SOT223 N-Channel 0.55A

¥1.8837 

阶梯数 价格
240: ¥1.8837
500: ¥1.544
1,000: ¥1.3426
0 对比
BSP122,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP122_SOT223 N-Channel 0.55A

暂无价格 0 对比

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